Память — локомотив рынка интегральных схем в 2018 году
Рынок полупроводниковых микросхем, к которому в частности относятся разные виды запоминающих устройств, растет плавно, но уверенно. Так, по прогнозам IC Insights, его ежегодный прирост за период с 2017 по 2022 год составит 7,9%. Причем активнее всего будет развиваться именно рынок памяти МОП (CAGR — 13,1%), который в 2018 году должен достичь объема почти в 140 млрд долларов США.
Из всех категорий рынка интегральных схем больше всего внимания приковано к сегменту памяти DRAM (от англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом). Не имеет значения, это отдельная единица или составная часть других технологий, — устройства DRAM являются критически важным компонентом ПК и ряда беспроводных и портативных приложений, а также расширяют многие возможности ИТ. Ожидается, что доля динамической памяти от общего рынка запоминающих устройств в 2018 году будет исчисляться рекордными 58%. Причем 72% из них должно приходиться на ее четвертое поколение — DDR4.
Не менее стремительно набирает обороты и сегмент энергонезависимой памяти. Эта категория включается в себя модули ROM (от англ. read-only memory — постоянное запоминающее устройство), EPROM (от англ. erasable programmable read-only memory — cтираемое программируемое ПЗУ), EEPROM (от англ. electrically erasable programmable read-only memory — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ) и устройства флеш-памяти. Их общая отличительная черта — способность сохранять информацию даже после того, как систему отсоединили от источника питания. И если в прошлом прочной основой рынка энергонезависимой памяти были устройства ROM и EPROM, то сейчас первые позиции в сегменте они уступили модулям флеш-памяти (в том числе NOR и NAND).
DRAM и NAND вырываются вперед
По данным IC Insights, рынки памяти DRAM и флеш-памяти NAND в 2018 году должны продемонстрировать рост соответственно в 37% и 17%.
Такой поразительный скачок рынка DRAM может объясняться тем, что средняя цена продажи (ASP) одного модуля памяти оказалась выше, чем прогнозировалось экспертами. По сравнению с 2017 годом она выросла на 36%. В свою очередь, цена на модули флеш-памяти NAND увеличится лишь на 10%, хотя, например, в 2017 году она выросла почти вдвое — на 45%.
Несмотря на то, что ASP будет повышаться очень стремительно, рост количества произведенных единиц памяти в 2018 году заметно замедлится и составит соответственно 1% и 6%.
Эксперты также прогнозируют, что до конца 2018 году рынок DRAM перешагнет отметку в 99,6 млрд долларов (самая впечатляющая сумма из всех категорий интегральных схем!) и перегонит рынок NAND (62,1 млрд долларов) на 37,5 млрд долларов.
Отметим, что если пару лет назад сегмент DRAM тормозил рост рынка интегральных схем (например, в 2016 из-за показателей продаж DRAM рынок ИС упал на 2%), то в 2017 он наоборот помог увеличить темп его развития на 9%. Прогноз на 2018 год менее радужный, но тоже позитивный — около 5%.
Однако вопреки оптимизму 2018 года эксперты сходятся на мнении, что в 2019-м рынок устройств памяти ожидает замедление. Вопрос заключается лишь в том, будет ли это резкое падение в цене или спросе либо темпы роста сократятся более плавно и мягко. И пока большинство специалистов отрасли склоняются ко второму варианту развития событий.
Из всех категорий рынка интегральных схем больше всего внимания приковано к сегменту памяти DRAM (от англ. dynamic random access memory — динамическая память с произвольным доступом). Не имеет значения, это отдельная единица или составная часть других технологий, — устройства DRAM являются критически важным компонентом ПК и ряда беспроводных и портативных приложений, а также расширяют многие возможности ИТ. Ожидается, что доля динамической памяти от общего рынка запоминающих устройств в 2018 году будет исчисляться рекордными 58%. Причем 72% из них должно приходиться на ее четвертое поколение — DDR4.
Не менее стремительно набирает обороты и сегмент энергонезависимой памяти. Эта категория включается в себя модули ROM (от англ. read-only memory — постоянное запоминающее устройство), EPROM (от англ. erasable programmable read-only memory — cтираемое программируемое ПЗУ), EEPROM (от англ. electrically erasable programmable read-only memory — электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ) и устройства флеш-памяти. Их общая отличительная черта — способность сохранять информацию даже после того, как систему отсоединили от источника питания. И если в прошлом прочной основой рынка энергонезависимой памяти были устройства ROM и EPROM, то сейчас первые позиции в сегменте они уступили модулям флеш-памяти (в том числе NOR и NAND).
DRAM и NAND вырываются вперед
По данным IC Insights, рынки памяти DRAM и флеш-памяти NAND в 2018 году должны продемонстрировать рост соответственно в 37% и 17%.
Такой поразительный скачок рынка DRAM может объясняться тем, что средняя цена продажи (ASP) одного модуля памяти оказалась выше, чем прогнозировалось экспертами. По сравнению с 2017 годом она выросла на 36%. В свою очередь, цена на модули флеш-памяти NAND увеличится лишь на 10%, хотя, например, в 2017 году она выросла почти вдвое — на 45%.
Несмотря на то, что ASP будет повышаться очень стремительно, рост количества произведенных единиц памяти в 2018 году заметно замедлится и составит соответственно 1% и 6%.
Эксперты также прогнозируют, что до конца 2018 году рынок DRAM перешагнет отметку в 99,6 млрд долларов (самая впечатляющая сумма из всех категорий интегральных схем!) и перегонит рынок NAND (62,1 млрд долларов) на 37,5 млрд долларов.
Отметим, что если пару лет назад сегмент DRAM тормозил рост рынка интегральных схем (например, в 2016 из-за показателей продаж DRAM рынок ИС упал на 2%), то в 2017 он наоборот помог увеличить темп его развития на 9%. Прогноз на 2018 год менее радужный, но тоже позитивный — около 5%.
Однако вопреки оптимизму 2018 года эксперты сходятся на мнении, что в 2019-м рынок устройств памяти ожидает замедление. Вопрос заключается лишь в том, будет ли это резкое падение в цене или спросе либо темпы роста сократятся более плавно и мягко. И пока большинство специалистов отрасли склоняются ко второму варианту развития событий.
0 комментариев
Вставка изображения
Оставить комментарий